p-i-n结构GaN光电探测器性能的研究

摘要：

近年来,可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注.由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料,而p-i-n结构的器件因其响应度高、暗电流低、便于集成等优点倍受人们的青睐.采用金属有机气相外延(MOCVD)法制备了p-in结构的GaN紫外光电探测器.在此基础上,采用N2气氛下热退火处理的方法,提高了P型GaN层的载流子浓度,从而降低了器件的暗电流.器件在1 V偏压下,暗电流仅为65 pA.器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在361 nm处,大小为0.92 A/W.

关键词：光学器件、光电探测器、氮化镓、响应度、p-i-n结构、暗电流

所属期刊栏目：38

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2011-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：248-252