脉冲激光烧蚀制备TaSi2纳米颗粒

摘要：

利用脉冲激光烧蚀(PLA)技术烧蚀高纯TaSi2靶材,在高定向热解石墨(HOPG)基底上制备TaSi2纳米颗粒,用扫描电镜(SEM)分析纳米颗粒表面形貌,X射线光电子能谱(XPS)分析颗粒的化学组分和元素化学价态.SEM分析结果表明,PLA制备的TaSi2纳米颗粒平均尺寸为10nm,面密度约1×1012cm-2; XPS分析表明HOPG基底上纳米颗粒表面的化学组分为Ta,Si,C,O元素,Ta和Si元素的存在方式主要是TaSi2,用积分面积灵敏度因子法计算Ta和Si原子比为1:2.2,接近TaSi2的化学计量比.进一步分析表明烧蚀过程中,部分Ta元素与C发生反应生成TaC,部分Si元素与C反应生成Sic;而O主要以化学吸附方式存在于样品表面.

关键词：激光技术、纳米颗粒、TaSi2、脉冲激光烧蚀、X射线光电子能谱

所属期刊栏目：37

分类号：O472.1;TN429(半导体物理学)

资助基金：北京有色金属研究总院创新技术基金200952701

在线出版日期：2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1347-1351