热退火对氮化镓金属-半导体-金属结构紫外光电探测器性能的影响

摘要：

采用金属有机气相外延的方法制备高质量氮化镓薄膜.采用真空热蒸发的方法蒸镀一层金膜,通过传统紫外曝光及湿法腐蚀的方法,制备得到具有金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外光电探测器.通过对器件进行不同温度不同时间的热退火处理,使器件的性能得到了改善.在3V偏压下,器件的暗电流仅为200pA,响应度的峰值出现在362nm处,其对应的探测率为1.2×10(11)cm·Hz(1/2)/W.对器件性能影响的形成机理进行了深人分析,主要归因于热处理将Au原子引人到薄膜中.

关键词：光电子学、光电探测器、氮化镓、退火、肖特基、暗电流

所属期刊栏目：37

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：822-825