具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列
从理论上设计并研制了一种用于可重构光分插复用技术中的具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列,器件在GaAs基衬底上集成了GaAs/AlGaAs材料的法布里一珀罗谐振腔和InP-In0.53 Ga0.47 As-InP材料的PIN光探测器.为了能够实现对多路波长的探测,首先利用湿法腐蚀,改变不同区域谐振腔的厚度,然后通过二次外延完成谐振腔的生长,最后利用低温缓冲层技术在GaAs材料上异质外延高质量的InP基的PIN结构.器件的工作波长位于1500 nm左右,可实现对4路波长,间隔为10 nm的光信号探测,光谱响应线宽低于0.8 nm,峰值量子效率达到12%以上,响应速率达到8.2 GHz.实验测试结果与理论分析进行了对比,并得到了很好的解释.
集成光学、光探测器阵列、多波长处理、异质外延
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TN36(半导体技术)
国家973计划2003CB314900;国家863计划2007AA03Z418;高等学校学科创新引智计划B07005;教育部长江学者和创新团队发展计划IRT0609资助课题
2009-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
2362-2366