利用总积分散射仪研究不同清洗技术下的基片表面粗糙度
为了探讨不同清洗工艺对基片表面微观粗糙度的影响,利用总积分散射(TIS)仪分别对不同条件下超声清洗的K9玻璃基片,End-hall离子源清洗的K9玻璃基片和Kaufmann离子源清洗的熔石英基片的表面均方根(RMS)粗糙度进行了系统表征.结果表明,K9玻璃基片经不同条件下的超声波清洗后,由于清洗过程中表面受到损伤,其RMS粗糙度均有所增加;而对于End-hall离子源和Kaufmann离子源清洗的基片,其表面RMS粗糙度的变化受清洗过程中离子束流、清洗时间和离子束能量等实验参量的影响较为明显,选择合适的实验参量可以降低基片表面粗糙度.
薄膜、基片、表面粗糙度、清洗、散射仪
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O485(固体物理学)
江苏省高校自然科学研究项目ky200684;江苏省高校"青蓝工程"资助课题
2009-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1559-1562