大功率980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器热特性
利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器,测试了含铝的InGaAs/OaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980 nmInGaAs SQW激光器在30~70℃范围内的P-I-V特性曲线,对比分析了两种材料系980 am激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度的变化,并对InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器进行了可靠性实验.
激光器、大功率激光器、热特性、无铝、特征温度
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家863计划SQ2007AA03Z431230资助课题
2009-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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