脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响

摘要：

采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过垦10%的两种靶材.并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550～750℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含最对薄膜生长取向的影响.利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌.XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜牛长从550 C近似c轴取向逐渐过渡到750℃近似a轴取向,而在铅过量情况下薄膜生长取向无明显过渡性变化;AFM测量表明PZT薄膜在近似C轴和a轴生长情况下,表面均方根(RMS)粗糙度分别为16.9 nm和13.7 nm,而在混合生长无择优取向的情况下,薄膜表面均方根粗糙度达到68 nm,这可能是两种取向竞争生长的结果.

关键词：薄膜、铁电薄膜、薄膜取向、脉冲激光沉积、X射线衍射、原子力显微镜

所属期刊栏目：35

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基会60588502

在线出版日期：2008-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1384-1387