位错对薄硅片激光弯曲过程的影响

摘要：

基于开展的薄硅片长脉冲激光弯曲成形实验,针对弯曲样品表面产生的滑移线和堆垛层错缺陷,结合实验所用规格硅片弯曲角度不超过35°的现象,运用位错理论分析在弯曲过程中硅晶体产生位错、层错现象的原因以及位错对激光弯曲成形的影响.说明了滑移线主要是位错堆积产生滑移的表现形式,而堆垛层错是位错相互叠加产生的不全位错导致的结果;提出薄硅片弯曲成形受到位错浓度和位错移动速度变化的影响.

关键词：激光技术、激光弯曲、滑移线、堆垛层错、位错理论、位错浓度、位错移动

所属期刊栏目：35

分类号：TN249;TG665(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金重大项目50290101;教育部博士点基金20070141002;辽宁省自然科学基金20062178资助课题

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：772-775