抽运光分布对Nd:YAG微片激光器热效应的影响

摘要：

以半解析热分析理论为基础.研究超高斯分布激光二极管(LD)端面抽运背冷式微片Nd∶YAG晶体的热效应.通过对超高斯分布激光二极管端面抽运背冷式微片Nd∶YAG晶体工作特点分析建立热模型,利用热传导方程新的求解方法得出微片Nd∶YAG晶体内部温度场、热形变场、附加光程差(OPD)半解析计算表达式;利用附加光程差得出微片Nd∶YAG晶体的热焦距计算表达式.研究结果表明,当使用总功率为24.2 kw,10%占空比4阶超高斯分布激光二极管抽运时,微片上获得70.36℃最高温升,0.465 μm最大热形变,0.836 μm最大附加光程差.

关键词：激光技术、微片激光器、Nd∶YAG晶体、热分析、超高斯分布、背冷

所属期刊栏目：35

分类号：TN248.1(光电子技术、激光技术)

资助基金：陕西省教育厅专项科研基金06JK251资助课题

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：643-646