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10.3321/j.issn:0258-7025.2005.11.010

10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计

引用
在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响.利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10 Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装.通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比,器件的反射参数和传输参数有所改善,3 dB带宽达到10 GHz;并进行了10 Gb/s速率的光纤传输实验,经过40 km光纤传输后通道代价不到1 dBm(误码率为10-12),满足10 Gb/s长距离光纤传输系统的要求.

光电子学、电吸收调制器、微波封装、频率响应

32

TN365(半导体技术)

科技部科研项目G2000036601;国家科技攻关项目2001AA312030,2001AA312290

2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1495-1498

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0258-7025

31-1339/TN

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2005,32(11)

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