Yb:FAP晶体的生长及光谱性能

摘要：

应用中频感应提拉法生长出不同掺杂浓度的Yb:FAP激光晶体.运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定了Yb3+离子在Yb:FAP晶体中的分凝系数约为0.03.随着晶体的生长,晶体中Yb3+离子的轴向浓度逐渐增大.研究Yb:FAP晶体在77 K和300 K温度下的吸收光谱发现,振动谱的变化主要是由电子-声子近共振耦合作用引起的.系统地研究了不同Yb3+离子掺杂浓度Yb:FAP晶体的吸收光谱和荧光光谱.通过吸收光谱的测量计算了晶体的吸收截面.Yb:FAP晶体在904 nm和982 nm处存在Yb3+离子的两个吸收带,适合激光二极管抽运.

关键词：材料、Yb:FAP晶体、提拉法、分凝系数、光谱特性

所属期刊栏目：32

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA311030

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1433-1436