1.3μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器

摘要：

采用低压金属有机化学气相外延法(LP-MOVPE)生长并制作了1.3 μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器(SOA),有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱(4C3T)结构,压应变阱宽为6 nm,应变量1.0%,张应变阱宽为11 nm,应变量-0.95%;器件制作成7°斜腔结构以有效抑制腔面反射.半导体光放大器腔面蒸镀Ti3O5/Al2O3减反(AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至3×10-4以下;在200 mA驱动电流下,光放大器放大的自发辐射(ASE)谱的3 dB带宽大于50 nm,光谱波动小于0.4 dB,半导体光放大器管芯的小信号增益近30 dB,在1280～1340 nm波长范围内偏振灵敏度小于0.6 dB,饱和输出功率大于10 dBm,噪声指数(NF)为7.5 dB.

关键词：激光技术、偏振无关、半导体光放大器、应变量子阱、金属有机化学气相外延法

所属期刊栏目：31

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：971-974