半导体基片在10.6μm激光局域加热时的温度上升

摘要：

在激光诱导扩散等激光微细加工技术中,需要用聚焦激光束照射基片表面,以形成局部高温区.为使局部高温区的温度分布满足实验要求,对10.6μm聚焦连续波CO2激光束照射下半导体基片的温度上升进行了数值计算.计算中考虑了基片材料对10.6μm激光的吸收系数随温度的变化.计算得到了温度上升与基片预热温度、入射激光束功率及曝光面积等参数的关系.结果表明,基片初始温度为室温及激光焦斑直径小于100 μm时,激光照射形成稳定高温区的最高温度不超过600 K.增加基片初始温度,可以在建立满足要求的温度上升的同时,减小基片上高温区分布的面积.在同一初始温度下,在基片高温区分布的面积符合实验要求的前提下,应尽量使用较大的光斑尺寸和激光功率,从而使基片表面热斑的温度分布更易控制.

关键词：激光技术、激光微细加工、半导体、温度上升

所属期刊栏目：31

分类号：TG665

资助基金：国家自然科学基金60277008;电子工业部电子科学研究院科研项目;四川省科技厅资助项目

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：870-874