在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性

摘要：

在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层,经X射线衍射(XRD)测量,得到了单一取向的ZnO(0002)膜.在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱.通过不同阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量,得到了多级共振拉曼峰.从发光谱中可见,在520 nm附近有很强的发光,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构,其光致发光(PL)谱未见发光.可见,在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱质量较好,是一种在Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的有效方法.

关键词：薄膜物理学、Si衬底、ZnCdSe/ZnSe量子阱、低压金属有机化学气相淀积

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分类号：O472+.3;TN304.055(半导体物理学)

资助基金：国家攀登计划;国家自然科学基金69896260;国家自然科学基金;中国科学院知识创新工程项目;中国科学院"百人计划"

在线出版日期：2004-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：297-300