钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器

摘要：

采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW.

关键词：激光技术、钨丝掩模、离子注入、垂直腔面发射激光器

所属期刊栏目：31

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60077021,60107002,69896260

在线出版日期：2004-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：129-132