InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列

摘要：

用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽下,输出峰值功率达到730 W(77 A),输出光功率密度为487 W/cm2,中心激射波长为903 nm,光谱半宽(FWHM)为4.4 nm.在此条件下可以稳定工作8600 h以上.

关键词：激光技术、半导体激光器、金属有机化合物气相淀积、二维阵列、分别限制单量子阱

所属期刊栏目：30

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2003-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：684-686