MOVPE生长1.3 μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究

摘要：

通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降低了材料中的氧杂质含量,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料,室温光致发光半宽FWHM=26 meV.采用此外延材料成功制作了1.3 μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器, 器件测试结果为:激射波长:1290 nm≤λ≤1330 nm;阈值电流:Ith(25℃)≤15 mA;Ith(85℃)≤25 mA;量子效率变化:Δηex(25～85℃)≤1.0 dB.

关键词：AlGaInAs、应变补偿量子阱、低压金属有机化学气相外延、无致冷

所属期刊栏目：29

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划02

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：193-196