W-型单模单偏振光纤中的硼掺杂和带宽

摘要：

分析了W-型单模单偏振光纤中,椭圆内包层硼掺杂量与单模单偏振带宽的关系,得出了长W-型单模单偏振光纤的带宽与内包层硼掺杂量的大小无关,它只由光纤几何结构以及内包层折射率深度确定,而对于短W-型单模单偏振光纤,硼掺杂量的增加可以增大截止基模能量损耗,从而适度提高其消光比和有效带宽.

关键词：W-型单模单偏振光纤、硼掺杂量、带宽

所属期刊栏目：29

分类号：TQ342+.82

资助基金：云南省自然科学基金1999F0002R

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：52-56