10.3321/j.issn:0258-7025.2000.12.005
GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW).利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到10 W(室温,连续),峰值波长为806~809 nm.
分子束外延、量子阱、列阵、半导体激光器
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TN4;O43(微电子学、集成电路(IC))
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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