10.3321/j.issn:0258-7025.2000.03.016
CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率
采用电子束蒸发和磁控溅射技术制备了具有红外上转换和光存储特性的电子俘获材料CaS:Eu,Sm薄膜,利用不同脉宽的超短红外激光测试了它们的红外上转换效率,指出CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率不仅与制备工艺及热退火工艺密切相关,而且存在"耗尽"现象.薄膜透过率及空间分辨率测试表明,尽管膜厚及热退火处理对薄膜的透过率及空间分辨率有影响,但它们可显著增加CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率.
电子俘获薄膜、转换效率、红外上转换、耗尽
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TN2(光电子技术、激光技术)
国家重点实验室基金;西安交通大学校科研和教改项目;科技部攀登计划
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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257-263