反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究

摘要：

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝(AlN)薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Al和N发生完全反应制备高质量符合化学计量比的AlN薄膜.讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响.实验结果表明,当DE=1.0 J*cm-2,PN2=13.333 kPa,Tsub=200℃,V=650 V,f=5 Hz,dS-T=4 cm时,高质量的AlN薄膜被成功地沉积于Si(100)基片上.分析表明薄膜是具有高取向性的AlN(100)多晶膜,薄膜的能带间隙约为6.2 eV,其电阻率和击穿电场分别为2×1013 Ω*cm和3×106 V*cm-1.

关键词：准分子激光、反应淀积、AlN薄膜

所属期刊栏目：26

分类号：O43(光学)

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：89-92