先进光刻中的聚焦控制预算(I)-光路部分

摘要：

随着大规模集成电路芯片制造的技术节点不断缩小,光刻机的聚焦控制变得尤为困难.为了保证硅片曝光的质量,需要快速、准确地将硅片在几十纳米的聚焦深度范围(DOF)内进行快速调整.因此,需要仔细分析光刻过程中导致焦点偏移或工艺窗口变化的各种因素,制定合理的聚焦控制预算,将各种误差因素控制在一定范围内.本文聚焦极紫外(EUV)光刻,综述包含EUV在内的先进光刻机中光路部分对聚焦控制有影响的各种因素,总结它们产生的原理及仿真、实验结果,为开展先进光刻聚焦控制预算研究提供参考.

关键词：聚焦控制;光刻;预算;最佳焦点;聚焦深度;工艺窗口

所属期刊栏目：14

分类号：TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目No. 61804174.No. 61604172

在线出版日期：2021-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共16页

页码：1104-1119