硅光子芯片外腔窄线宽半导体激光器
随着超高速光互连、相干光通信、相干检测等技术的不断发展,对激光光源的线宽、相频噪声、可调谐性和稳定性等都提出了更为严格的要求.利用基于CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的硅光子芯片与半导体增益芯片各自的优势,将二者准单片集成实现结构紧凑、低功耗和高稳定性的窄线宽半导体激光器成为近年的研究热点.该结构可通过微环谐振器、环形反射镜和马赫曾德干涉仪等提供光反馈压窄线宽,并实现宽调谐范围和稳定功率输出.本文主要阐述了硅光子芯片外腔半导体激光器的最新研究进展,针对几种包含微环谐振器的结构进行了分类介绍,深入讨论了增加耦合效率和降低端面反射率等技术难题.针对未来空间光通信和光互连等应用前景,展望了该类激光器在功率提升和光子集成方面的未来发展方向.
窄线宽、可调谐激光器、硅光子芯片、外腔、半导体激光器
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家重点研发计划资助项目2016YFE0126800;国家自然科学基金资助项目61505206, 61674148, 51672264, 61727822;吉林省科技发展计划资助项目20150520089 JH, 20170204013 GX
2019-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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