10.3969/j.issn.1005-6734.2002.04.013
感应耦合等离子刻蚀技术研究
依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20 μm深,2 μm 宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数.
等离子体、干法刻蚀、谐振器
10
U666.1 (船舶工程)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
62-66
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10.3969/j.issn.1005-6734.2002.04.013
等离子体、干法刻蚀、谐振器
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U666.1 (船舶工程)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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