Tuning the Fermi level in Bi2Se3 bulk materials and transport devices

机标关键词：bulk materials、electron beam irradiation、transport properties、carrier mobility、band gap、bulk carriers、Fermi level

所属期刊栏目：07

分类号：O4(物理学)

资助基金：the US Department of Energy,Office of Basic Energy Sciences,Division of Materials Sciences and EngineeringDE-FG02-07ER46351

在线出版日期：2012-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：160-164