短期贮存对金属铜腐蚀电化学行为的影响

摘要：

采用动电位极化(PDS)、电化学阻抗谱(EIS)、电容测量以及阵列电极等技术研究了Cu的短期贮存对其腐蚀电化学行为的影响.结果表明,金属Cu表面膜呈现p型半导体结构,经过短期贮存后载流子浓度减小,腐蚀电位正移,腐蚀电流密度下降,表面膜对腐蚀阴极过程、阳极过程均有抑制作用.Cu在NaCl液滴下呈现典型的局部腐蚀特征;经过贮存后,电极表面润湿性减弱,腐蚀活性降低,总体平均腐蚀强度减弱,但是局部腐蚀强度反而增强.

关键词：阵列电极、短期贮存、Cu、Mott-Schottky曲线、液滴、腐蚀

所属期刊栏目：36

分类号：TG174.3(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金项目51131005和40906039及山东省优秀中青年科学家奖励基金项目BS2012HZ021资助

在线出版日期：2016-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：375-380