10.3969/j.issn.1004-714X.2008.03.070
辐射诱发染色体畸变定量分析的研究进展
@@ 电离辐射可以导致染色体多种不同类型的畸变,包括只有两条染色体断裂的DNA双链断裂(DNA double strand breakage,DSB)称简单畸变(simple aberration),还有3个或4个DSB的复合畸变(complex aberration).染色体畸变出现的频率依赖于畸变类型、染色体大小、细胞种类和射线的种类、剂量、剂量率,对各种因素之间大量资料的定量分析可以建立相应的作用模型[1].事实上,长期以来机理性畸变模型已经被广泛使用,目前的主要任务是分析不同辐射的生物剂量学特点、比较不同DNA修复或错误修复途径、标记间期染色体以及外推低剂量电离辐射生物学效应.笔者主要概述染色体互换型畸变特点、邻近效应(proximity effects)、适用于简单畸变分析的传统数学方法、处理复杂畸变谱的计算机方法、系统地分析复杂互换和使用新软件分析明显染色体不全、畸变传递率以及畸变与其他损伤之间的关系.
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R144.1(放射卫生)
2008-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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