GAGG:Ce闪烁晶体的缺陷研究

摘要：

通过提拉法生长了掺铈钆镓铝石榴子石结构闪烁晶体(简称GAGG:Ce),采用扫描电镜、金相显微镜、能谱仪等手段观察和分析了晶体中容易出现的枝晶、位错、偏析、裂纹等缺陷.提出了产生缺陷的主要原因有引晶过程中的热冲击、籽晶位错的引入、提拉旋转速度以及降温工艺等因素产生的内应力.探讨了降低或控制GAGG:Ce闪烁晶体中缺陷出现的方法.

关键词：GAGG:Ce、闪烁晶体、缺陷、提拉法

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：国家重点研发计划资助2017YFB0310500

在线出版日期：2020-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19