Notch-δ-doped InP Gunn diodes for low-THz band applications
applications、band、diodes、doped、gunn、notch-
21
TP273;O643;TM623
2023-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共14页
30-43
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TP273;O643;TM623
2023-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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