一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析

摘要：

绝缘栅双极型晶体管(insulated?gate?bipolar?transistor,IGBT)本身不具有反向阻断能力,因此在电路中通常与二极管组合使用.为降低使用成本,减小寄生电感,续流二极管与IGBT通过工艺集成在同一芯片上,由此提出了具有反向阻断能力的逆阻型IGBT.针对常规逆阻IGBT终端面积大的问题,提出了一种改进型复合终端结构,采用双掺杂场限环,在P型场限环旁边引入N型轻掺杂区.改进结构减小了耗尽区横向扩展速率,增强器件可靠性,节省终端面积占用并提高了终端效率.

关键词：绝缘栅双极型晶体管、逆阻、场限环、复合终端、双掺杂场限环

所属期刊栏目：55

分类号：TN322.8;U448.27;TM464

资助基金：国家重大研发计划资助项目;国网智能电网研究院有限公司科技项目

在线出版日期：2022-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：98-104