3300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制

摘要：

研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide, SiC) 肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET),即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成的肖特基接触.在芯片制造过程中,通过增加Ni退火后的表面处理工艺,使得栅源短路失效率降低约58％.研究发现,当二极管电流密度JSD=100 A/cm2时,嵌入式二极管电压降VSD(SBD)=2.1 V,寄生二极管的开启电压约为8 V,这说明嵌入式SBD可以抑制MOSFET寄生二极管开启,降低碳化硅MOSFET"双极退化"风险.另外,该芯片的阈值电压为3.05 V,比导通电阻和阻断电压分别为18.9 mΩ·cm2和3955 V,在高压轨交市场具有广阔的应用前景.

关键词：碳化硅;SBD;MOSFET;寄生二极管;双极退化

所属期刊栏目：54

资助基金：国家重点研发计划资助项目2016YFB0400503

在线出版日期：2021-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：81-85,93