1200V SiC MOSFET参数分散性对并联均流的影响分析

摘要：

基于本团队自研并金属封装的1200V 20A SiC MOSFET器件,开展了器件参数分散性对并联组件均流的影响研究.首先引入器件偏离度和变异系数,分析了三线法和两线法测试平台对器件阈值电压和导通电阻测试结果的影响,得出三线法对于本文的测试结果更加可靠且可测参数更多;基于三线法的测试平台,实验测试了器件的基本特征参数,包括阈值电压、导通电阻、跨导等,并分析了30只器件的分散性,结果表明测试器件跨导的一致性较好,而阈值电压和导通电阻的偏离度较大;最后,以阈值电压和导通电阻为研究对象,选择了器件两参数相近与分散性较大的SiC MOSFET进行并联双脉冲实验,在排除了测试回路寄生参数的基础上,通过实验和仿真对比验证了导通电阻及阈值电压对器件并联均流的影响,结果表明阈值电压对于并联系统开关前后瞬态过程的均流影响较大,阈值电压较小的器件将承担更大的过冲电流,影响并联系统的可靠性;相比开关瞬态过程,导通电阻则是对稳态后的均流影响更大,导通电阻较小的器件将承担更大的电流,影响支路器件的可靠性.

关键词：SiC MOSFET;分散性;偏离度;变异系数;并联均流

所属期刊栏目：54

资助基金：国家电网有限公司科技项目碳化硅MOSFET沟道自对准工艺研究,5455GB190011

在线出版日期：2021-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：73-80