大功率压接型IGBT器件中的机械应力研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.11930/j.issn.1004-9649.202005029

大功率压接型IGBT器件中的机械应力研究

引用
机械应力是影响高压大功率压接型IGBT器件电气特性、热特性以及可靠性的关键因素之一.首先,从芯片与封装结构设计的角度,介绍单芯片以及多芯片并联机械压力分布均衡特性的研究现状及其关键设计技术.其次,从封装工艺的角度,分别对比弹性压接、刚性压接等不同焊接形式对芯片机械应力分布的影响规律.最后,结合压接封装结构特点,基于一种新型芯片终端结构,提出一种新型封装技术方案,可以有效提升单芯片以及并联芯片压力的均衡特性,为高压大容量压接型IGBT器件的设计提供参考依据.

IGBT、压接型IGBT、机械应力、双面终端

53

国家电网公司科技项目高加速应力条件下Si基芯片终端结构及其封装结构对器件耐压可靠性的影响机制,5455GB190009

2020-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共13页

62-74

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

中国电力

1004-9649

11-3265/TM

53

2020,53(12)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn