10.11930/j.issn.1004-9649.202006300
4500V沟槽栅IGBT芯片的设计与研制
为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4500V沟槽栅IGBT芯片的研制.使用TCAD仿真软件,对4500V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析,明确各方面设计与芯片性能的关系.根据总体设计目标,确定相应的芯片结构和工艺参数,并对4500V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证.验证结果显示:4500V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期,芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化.
沟槽栅、IGBT、仿真、衬底、载流子存储层、假栅结构
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国家电网有限公司科技项目高压沟槽栅型IGBT芯片设计与工艺开发技术研究,5455GB180007
2020-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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