多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

摘要：

多芯片并联的压接式IGBT器件是柔性直流输电设备中的关键部件,因制造工艺、回路寄生参数和热耦合问题使得器件内部应力分布不均,造成器件不均匀老化,使得内部温度不均程度加剧,进而使得电流分配不均.围绕不同温度差异下导致的电流分布不均问题展开研究.首先,对造成IGBT器件并联不均流的原因以及温度对不均流特性的作用进行分析.然后,利用单芯片压接式IGBT器件并联模拟多芯片器件内部的温度分布不均情况,进行温度分布不均匀程度对电流分配影响的实验.最后,通过实验验证并联器件间温度差异与不均流程度的关系.所提方法为提高器件的运行可靠性和对压接式IGBT失效机理认知奠定基础.

关键词：压接式IGBT、温度分布、电流分布、并联、均流

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资助基金：国家自然科学基金资助项目;国家自然科学基金-国家电网公司联合基金重点资助项目

在线出版日期：2020-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：10-17