高压大功率器件用高温栅偏测试装置研制

摘要：

为准确评估硅IGBT和碳化硅MOSFET等高压大功率器件不同电应力及热应力条件下的栅极可靠性,研制了实时测量皮安级栅极漏电流的高温栅偏(high temperature gate bias,HTGB)测试装置.此外,该测试装置具备阈值电压在线监测功能,可以更好地监测被测器件的状态以进行可靠性评估和失效分析.为初步验证测试装置的各项功能和可靠性,运用该测试装置对商用IGBT器件在相同温度应力不同电应力条件下进行分组测试.初步测试结果表明老化初期漏电流逐渐降低,最终漏电流大小与电压应力有良好的正相关性,栅偏电压越大,漏电流越大.该测试装置实现了碳化硅MOSFET器件和硅IGBT器件对高温栅偏的测试需求且适用于各种类型的封装.

关键词：高压大功率器件、IGBT器件、碳化硅MOSFET器件、高温栅偏测试、阈值电压

所属期刊栏目：52

分类号：TN304.07(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研专项资金资助项目高压大功率IGBT器件老化耦合机理研究,2019MS001

在线出版日期：2019-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：48-53,72