压接型IGBT均流设计

摘要：

针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计.试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好.

关键词：均流、压接型、IGBT、设计

所属期刊栏目：52

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2019-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：20-29