30V条件下功率MOSFET器件应力波理论与试验研究

摘要：

功率金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)在电磁热机等物理场相互作用下产生的应力波,对器件的可靠性设计和状态监测有重要意义.根据理论分析可知,功率MOSFET开通或关断可以产生瞬态电磁场,器件中的带电粒子在磁场中所受洛伦兹力,因此产生机械应力波.在30V低压条件下,采用脉冲测试电路并对功率MOSFET进行试验,应用声发射测量平台采集试验过程中功率MOSFET器件产生的瞬态电磁场和机械应力波.对不同电气参数下得到的声发射信号进行处理和分析,发现器件漏源电压导致高频电磁波的产生,而栅源电压和漏源电压共同影响低频机械应力波,为功率MOSFET器件产生声发射现象提供理论依据.

关键词：功率金属—氧化物半导体场效应晶体管、声发射、高频电磁波、机械应力波、可靠性、状态监测

所属期刊栏目：41

分类号：TM930

资助基金：国家自然科学基金面上项目;长沙市科技计划项目;新能源电力系统国家重点实验室华北电力大学

在线出版日期：2021-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：5683-5692,中插23