基于驱动电流动态调节的低过冲低损耗SiC MOSFET有源门极驱动

摘要：

与硅基功率器件相比,碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET具有开关速度更快、导通损耗更低等优点,将越来越广泛的应用于高效高功率密度场合.但是,其开关特性对寄生参数非常敏感,在高速开关过程中极易产生瞬态电压电流尖峰和高频开关振荡,严重威胁SiC基变换器的可靠运行.针对这一问题,文中对SiC MOSFET的开关暂态过程进行深入分析,揭示门极驱动电流对开关过程电压电流过冲、振荡与开关损耗的影响机理.在此基础上,提出一种驱动电流分段动态调节的SiC MOSFET有源门极驱动电路,即根据开关过程不同阶段的状态反馈动态调整器件门极驱动电流.实验结果表明,所提出的方法能够在维持低开关损耗的同时,实现了对SiC MOSFET开关过程中电压电流过冲和高频振荡的有效抑制,提升SiC基电力电子装置的动态性能与运行可靠性.

关键词：SiC MOSFET、有源门极驱动、电流动态调节、过冲、振荡、开关损耗

所属期刊栏目：40

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金;战略性新兴产业科技攻关计划

在线出版日期：2020-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：5730-5741,中插2