半桥结构中的SiC MOSFET串扰电压建模研究

摘要：

SiC MOSFET凭借着低开关损耗、高工作频率与高工作温度点等优点,逐渐在高效率、高功率密度与高温的应用场合取代传统的硅功率器件.然而,在高速开关中带来的栅极串扰现象严重制约SiC器件的开关速度.传统的串扰抑制方法重点关注由栅极–漏极寄生电容引入的干扰电压,往往通过减小驱动回路阻抗的方式来降低串扰电压.该文基于SiC MOSFET器件的开关模态,提出考虑共源电感的分段线性化串扰电压模型.该模型基于器件数据手册及双脉冲实验提取的参数,考虑栅极–漏极电容、共源电感、体二极管反向恢复等非理想因素的影响.对比不同电压点、电流点与电阻值下实验与模型的输出结果.该模型表明,串扰电压是由器件栅极–漏极电容、共源电感与驱动回路阻抗共同作用的结果.单一降低驱动回路阻抗的方式对串扰电压的抑制效果有限.基于提出的模型,该文给出串扰电压抑制的指导方法,可直接用于SiC MOSFET驱动电路的设计.

关键词：SiCMOSFET、串扰、共源电感、SiC驱动

所属期刊栏目：40

分类号：TM464(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1775-1786