碳化硅功率器件技术综述与展望

摘要：

碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点.近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同SiC器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述.最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望.

关键词：碳化硅、功率器件、二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管、门极可断晶闸管

所属期刊栏目：40

分类号：TM461.5(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1741-1752