抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型SiC MOSFET有源驱动方法研究

摘要：

为了满足电力电子系统高频、高效和高功率密度的需求,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)越来越广泛地应用于各类电力电子变换器.其开关过程中存在瞬态电压电流尖峰和高频振荡,不仅对半导体器件的安全运行构成威胁,而且会恶化电力电子变换器的电磁兼容性.该文针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压电流尖峰和振荡的问题,分析SiC MOSFET开关过程及瞬态电压电流尖峰和振荡产生机理,并在此基础上提出一种电流注入型有源驱动电路.该有源驱动电路通过在SiC MOSFET开通过程的电流上升阶段向栅极注入反向电流,在关断过程的电流下降阶段向栅极注入正向电流,以达到抑制开关过程瞬态电压电流尖峰和振荡的目的.实验结果表明,提出的有源驱动电路能够有效抑制SiC MOSFET开关过程瞬态电压电流的尖峰和高频振荡,从而从源头上改善了电力电子变换器的电磁兼容.

关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管、有源驱动、尖峰、振荡、电磁干扰

所属期刊栏目：39

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2019-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：5666-5673