一种适用于三相碳化硅逆变器的新型PWM策略

摘要：

随着电力电子新器件制造技术的发展,基于碳化硅(silicon carbide,SiC)器件的三相电压源逆变器(voltage source inverters,VSIs)正在得到越来越广泛的应用.然而,随着开关频率的提高,SiC逆变器将会带来更大的电磁干扰以及更多的硬开关损耗,影响SiC逆变器的可靠性以及功率密度的进一步提高.因此,针对上述问题,该文提出一种适用于SiC逆变器的新型脉宽调制(pulse width modulation,PWM)策略,并且通过统一的双极性载波PWM方法,对算法进行简易实现.经过详细的理论推导,可以得出该PWM策略在全功率因数范围内使SiC逆变器的开关损耗最小,并且在整个调制度范围内抑制了SiC逆变器的共模干扰源.最后,通过实验测试,验证所提PWM策略的可行性与先进性.

关键词：脉冲宽度调制、碳化硅、逆变器、开关频率

所属期刊栏目：39

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金51577118

在线出版日期：2019-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：5635-5643