基于耦合电感的SiC MOSFET并联主动均流

摘要：

为了适应大功率变流的应用场景,多SiC MOSFET并联是一种有效的解决方案,在电动汽车电机控制器等电力电子系统中,具有广泛的应用前景.然而,SiC MOSFET器件的静态参数具有分散性,功率回路的寄生参数具有不对称性,以及器件的工作结温存在差异性,都导致并联器件之间的电流应力会出现不均衡现象.就此给出了一种基于耦合电感的主动均流方法,将多个共用磁芯的耦合线圈串联接入各个器件支路,利用磁通约束,实现各支路的电流平衡.在建立数学模型的基础上,从器件参数、外围电路、结温三个方面,分析了并联器件静态和动态电流不均衡的现象,及其影响因素.然后,建立了耦合电感的数学模型,得到了耦合电感实现静态和动态均流的数学物理机理,并给出了其设计方法.最后,利用实验结果验证了耦合电感在SiC MOSFET并联均流方面的有效性,将电流不平衡度从16%降低到2%以内.

关键词：SiCMOSFET、并联、电流均衡、耦合电感

所属期刊栏目：37

分类号：TM464(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金项目51607016;输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室自主研究项目2007DA10512716301. Project Supported by National Natural Science Foundation of China51607016;Scientific Research foundation of State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology2007DA10512716301

在线出版日期：2017-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：2068-2080