SiC MOSFET栅极电容提取实验方法及影响因素研究

摘要：

SiC MOSFET与Si MOSFET由于和IGBT具有很好的兼容性发展尤其迅速，但又因缺乏栅极电容 CGS和 COX参数提取的有效手段，影响了其性能评价、模型仿真以及应用水平的提高。该文在分析SiC MOSFET典型的电阻负载电路基础上，针对其导通过程中栅极电流变化会带来栅极电容CGS 和COX 计算上的困难，提出增加恒流源电路维持SiC MOSFET 导通过程栅极驱动电流恒定，从而只需简单计算便可提取栅极电容CGS 和COX 参数的实验方法。针对某一型号具体器件进行了参数提取实验，所得到的结果与datasheet 的结果较吻合，验证了该方法的有效性；另外，不同负载、环境温度对采用文中方法得到的栅极电容CGS 和COX 结果影响较小，而不同直流电压对栅极电容CGS 结果影响较大，较高直流电压下参数提取的结果较稳定。

关键词：SiC MOSFET、栅极电容、参数提取、恒流源电路

所属期刊栏目：36

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金项目51377184；国际科技合作专项资助2013DFG61520；中央高校基本科研业务费专项基金项目106112016CDJZR158802。Project Supported by National Natural Science Foundation of China51377184;International Science & Technology Cooperation Program of China2013DFG61520;Fundamental Research Funds for the Central Universities106112016CDJZR158802

在线出版日期：2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：4224-4231