染污绝缘表面交流电弧发射光谱及等离子体特性研究

摘要：

为了进一步深入认识绝缘子污秽闪络过程及机制，设计了电弧等离子体光学诊断实验平台，通过在污秽中掺入了微量锂元素作为示踪元素，并基于染污绝缘表面交流电弧发射光谱测量及特性分析，获得了不同泄漏电流下电弧等离子体的谱线分布和微观参数。利用谱线相对强度法，计算了电弧温度；通过分析钠元素分立谱线Stark半展宽值，获得了电弧通道的电子密度。实验结果表明：随着泄漏电流幅值的增加，局部电弧的温度升高、电子密度并没有显著变化；在临界闪络阶段，电弧等离子体的电子密度骤增；闪络发生时，电弧温度达到7400 K，电子密度升至7.64×1017 cm?3。

关键词：染污绝缘表面、交流电弧、光谱、电弧温度、电子密度

分类号：TM85(高电压技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划项目973项目2011CB209406。The National Basic Research Program of China 973 Program2011CB209406

在线出版日期：2015-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：4808-4816