宽禁带碳化硅功率器件在电动汽车中的研究与应用

摘要：

以碳化硅(silicon carbide，SiC)为主的第3代半导体技术突破了硅材料半导体器件在耐压等级、工作温度、开关损耗和开关速度上的极限，能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本，提高电力电子系统的性能。一直以来，高功率密度电动汽车电力驱动系统一直是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战，而宽禁带功率器件的应用，将对新一代电动汽车特别是混合电动汽车的发展产生重要影响。论文主要介绍SiC功率半导体器件的发展，对SiC器件在电动汽车中的研究现状与应用前景进行分析和展望，最后探讨SiC器件在电动汽车电力驱动系统应用中面临的主要问题。

关键词：碳化硅、宽禁带、功率器件、电动汽车驱动系统

分类号：TM92

资助基金：国家自然科学基金项目50937001，51107044；中央高校基本科研重点项目2012ZZ0023。Project Supported by the National Natural Science Foundation of China50937001,51107044;The key Fundamental Research Funds for the Central Universities of China2012ZZ0023

在线出版日期：2014-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：371-379