聚酰亚胺/TiO2纳米杂化薄膜耐电晕性能的研究
通过原位聚合法制备聚酰亚胺/二氧化钛(PI/TiO2)纳米杂化薄膜并研究其耐电晕性能。利用光激发放电方法(photon-stimulated discharge，PSD)与光度计测试杂化薄膜的陷阱状态与紫外吸收光谱，通过扫描电镜与小角 X 射线散射技术(small angle X-ray scattering，SAXS)表征薄膜表面的形貌与分形特征。实验结果表明：引入 TiO2增加了薄膜中的陷阱密度，提高了薄膜的质量分形维数，在5%组分时出现表面分形，薄膜结构变得致密；随着 TiO2组分的增加，薄膜的耐电晕寿命由3.9 h(0%)增加到49 h(7%)，薄膜的紫外吸收能力提高；随着电晕时间增加，杂化薄膜表面的聚酰亚胺分解，TiO2颗粒逐渐积累，起到屏蔽电晕侵蚀的作用。因此，有机-无机界面的陷阱状态、TiO2的特性以及薄膜整体分形结构的协同效应提高了杂化薄膜耐电晕性能。
纳米二氧化钛、聚酰亚胺、耐电晕、组分、杂化
TM215(电工材料)
国家自然科学基金项目51077028；黑龙江省自然科学基金项目A201006；黑龙江省青年科学基金项目QC2011C106。@@@@Project Supported by the National Natural Science Foundation of China51077028;NSF of Heilongjiang Province of ChinaA201006;The Youth Science Foundation of Heilongjiang Province of ChinaQC2011C106
2013-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
142-147
