碳化硅MOSFET的变温度参数建模

摘要：

为在全温度范围内准确反映碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET的工作特性,提出一种基于Pspice仿真软件的SiC MOSFET变温度参数模型.该模型中引入温控电压源和温控电流源以补偿SiC MOSFET静态特性随温度的变化,同时着重考虑了SiC MOSFET的低温特性和驱动电路负压的影响.详细阐述建模原理,分析各个关键参数对SiC MOSFET静态特性及动态特性的影响,给出建模原理.搭建基于Buck变换器的SiC MOSFET测试实验样机,在不同电压点、电流点及温度点(-25～125℃)下进行实验测试,并将测试结果与基于变温度参数Pspice模型的仿真波形和损耗估算结果进行比较.比较结果高度吻合,功率损耗误差在10％以内,验证了提出的变温度参数模型的准确性和有效性,为实际应用中采用SiC MOSFET器件进行系统分析和效率评估提供了重要的依据.

关键词：碳化硅MOSFET、变温度参数、PSpice建模、Buck变换器

所属期刊栏目：33

分类号：TM85(高电压技术)

在线出版日期：2013-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：37-43,前插5