碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望

摘要：

碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件.该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和晶闸管,对其在电力系统的应用现状与前景进行展望.高压大容量碳化硅功率半导体器件的迅速发展,将对电力系统的发展带来深远的影响.

关键词：碳化硅、电力电子器件、电力系统

所属期刊栏目：32

分类号：TM51(电器)

资助基金：国家863高技术基金项目2011AA050401

在线出版日期：2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7